商标状态	已注册
申请日期	2024-04-28
初审公告日期	2024-07-13
初审公告期号	511898199815
注册公告期号	71111919097
注册满三年	12-40-427770210-71-2-04---711442-
注册日期	22121-022404-1020-2-10401
截止日期	23101--3--41-101-141----3-1
商标类型	普通商标
颜色组合	<无>
是否共有商标	否
国际注册日期	<无>
后指定日期	<无>
优先权日期	<无>

申请人名称	国汉武汉武科国科国光光汉武国技领半汉半科导导体武领科技光技公有体半半限公公导有领科司有
(英) 申请人名称
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路1号楚天传媒生产基地2期1号楼1-2层
(英) 申请人地址
代理机构	邮寄办理

商品/服务	光学组件的设计,集成电路设计,技术开发领域的咨询服务,硅光芯片制造技术研究,多媒体产品的设计和开发,微芯片设计服务,(1)技术研究,半导体设计,工业设计,计算机软件设计,计算机硬件设计,芯片设计软件开发
群组	4209,4216,4220 (未注册群组：4201,4202,4203,4204,4205,4206,4207,4208,4210,4211,4212,4213,4214,4215,4217,4218,4219,4221,4222,4223,4224,4225,4226,4227)